杨军 教授

邮箱：jyangsme@shu.edu.cn

上海大学微电子学院

导师介绍：

杨军，上海大学教授，伟长学者，德国德累斯顿工业大学工学博士（Dr.-Ing.），莱布尼茨联合会固态和材料研究所博后，入选国家级青年高层次人才计划、上海市海外高层次人才计划。长期致力于集成电路先进制程、器件及相关装备的研究，在Angewandte Chemie、ACS Nano、Small、IEEE Electron Device Letters、Applied Physics Letters等国际期刊发表论文50余篇，并在国际原子级沉积/刻蚀会议、德国原子级制造研讨会、中国物理学会学术会议等作学术报告20余次。曾获国家优秀博士留学生奖、融合发展创新专业赛集成电路赛道创新奖、中国真空学会真空科学与技术奖等多项荣誉。指导学生多人获上海市优秀毕业生、上海大学优秀毕业生、国家奖学金、“挑战杯”创业大赛（校级）一等奖、市级三等奖等。

课题组为学生提供个性化的培养方案与职业发展指导，欢迎具有微电子、机械、集成电路、物理、材料等相关背景的同学加入，也欢迎相关专业本科生来实习毕设等，可推荐优秀者赴国内外知名科研机构进一步深造。联系邮箱：jyangsme@shu.edu.cn

研究方向：

原子级加工装备

低功耗多功能栅控器件

集成电路先进工艺与异质集成

教育及工作经历：

2025年11月-至今 上海大学 教授

2024年12月-2025年10月 上海大学 副教授

2024年02月-2024年11月 莱布尼茨联合会固态和材料研究所 博士后

2020年09月-2024年01月 德累斯顿工业大学 博士

科研成果及获奖情况：

中国真空学会真空科学与技术奖

国家优秀博士留学生奖

上海融合发展创新专业赛集成电路赛道创新奖

德国优秀博士海外交流奖

德国原子级制造研讨会优秀报告奖

近五年代表性论文：

[1] Xingwei Ding, Luoqiang Wang, Kun Bai, Jun Yang*, Jianhua Zhang, Approach to High-performance Indium Gallium Zinc Oxide Transistors by Thermal Atomic Layer Deposition, IEEE Electron Device Letters, 2025, 46(4), 588

[2] Jun Yang, Mohammadreza Daqiqshirazi, Tobias Ritschel, Amin Bahrami, Sebastian Lehmann, Daniel Wolf, Wen Feng, Almut Pöhl, Jaroslav Charvot, Filip Bureš, Thomas Brumme, Axel Lubk, Jochen Geck, Kornelius Nielsch, Interfacial Distortion of Sb₂Te₃–Sb₂Se₃ Multilayers via Atomic Layer Deposition for Enhanced Thermoelectric Properties, ACS Nano 2024, 18(27), 17500

[3] Jun Yang, Chuanxin Huang, Zhaorui Tong, Hongyu Fan, Kun Bai, Xingwei Ding*, Jianhua Zhang, ALD-derived High-k ZrAlO_x Dielectrics for Boosted Performance of CNTs/ZTO CMOS Inverter, Applied Physics Letters, 2025, 127(8), 082901

[4] Jun Yang, Samik Mukherjee, Sebastian Lehmann, Fabian Krahl, Xiaoyu Wang, Pavel Potapov, Axel Lubk, Tobias Ritschel, Jochen Geck, Kornelius Nielsch, Low‐Temperature ALD of SbO_x/Sb₂Te₃ Multilayers with Boosted Thermoelectric Performance, Small, 2023, 20(10), 2306350

[5] Lingxian Ding, Jianhua Zhang, Xingwei Ding*, Jun Yang*, Gallium Precursor Reaction Pathway-Driven Low-Temperature Atomic Layer Deposition of IGZO for Thin-Film Transistors, Applied Physics Letters, 2026, 129(2), 021903

[6] Jun Yang, Amin Bahrami*, Xingwei Ding, Sebastian Lehmann, Kornelius Nielsch*, Encapsulation of Locally Welded Silver Nanowire with Water-free ALD-SbOx for Flexible Thin-film Transistors. Applied Physics Letters, 2022, 121(16), 163504

[7] Dong‐Ho Shin, Jun Yang*, Samik Mukherjee, Amin Bahrami, Sebastian Lehmann, Noushin Nasiri, Fabian Krahl, Chi Pang, Angelika Wrzesińska‐Lashkova, Yana Vaynzof, Steve Wohlrab, Alexey Popov, Kornelius Nielsch*, SnS₂ Thin Film with In-situ and Controllable Sb Doping via Atomic Layer Deposition for Optoelectronic Applications. Advanced Materials Technologies, 2024, 9(21), 2302049

[8] Jun Yang, Amin Bahrami, Xingwei Ding, Panpan Zhao, Shiyang He, Sebastian Lehmann, Mikko Laitinen, Jaakko Julin, Mikko Kivekäs, Timo Sajavaara, Kornelius Nielsch*, Low‐Temperature Atomic Layer Deposition of High‐k SbO_x for Thin Film Transistors, Advanced Electronic Materials, 8(7), 2101334

[9] Jun Yang*, Jianzhu Li, Amin Bahrami, Noushin Nasiri, Sebastian Lehmann, Magdalena Ola Cichocka, Samik Mukherjee*, Kornelius Nielsch*, Wafer-scale Growth of Sb2Te3 Films via Low-temperature Atomic Layer Deposition for Self-powered Photodetectors. ACS Appl. Mater. Interfaces 2022, 14(48), 54034

Jun Yang*, Amin Bahrami, Xingwei Ding, Sebastian Lehmann, Nadine Kruse, Shiyang He, Bowen Wang, Martin Hantusch, Kornelius Nielsch *, Characteristics of ALD-ZnO Thin Film Transistor using H₂O and H₂O₂ as Oxygen Sources. Advanced Materials Interfaces, 2022, 9 (15), 2101953