任开琳 副教授
邮箱：renkailin@shu.edu.cn
上海大学微电子学院/钱伟长学院
导师介绍：
博士生导师，2021年博士毕业于新加坡国立大学并入选上海市高层次人才引进计划。从事宽禁带半导体功率器件（仿真、模型、制造、可靠性），GaN基功率集成电路，Micro-LED显示与光互连等领域的研究，中国图像图形学会智能图像感知微系统专委会委员。
主持国家自然科学基金面上项目、青年项目，主持上海市自然科学基金面上项目，主持企业技术开发项目三项，参与上海市经信委汽车芯片专项、上海市“科技创新行动计划”高新技术领域项目等多个重点项目。
近五年在IEEE EDL、IEEE T-ED、APL、JAP等微电子领域权威期刊上发表SCI论文三十余篇，在国际会议上报告研究成果6次。
招收集成电路、电子信息、微固、应用物理等相关专业背景的硕士、博士研究生。
讲授课程：本科《信号与系统基础》、《功率半导体器件基础》、《半导体器件建模原理与实践》；研究生《集成电路器件物理》、《先进半导体器件建模原理与实践》。
研究方向：
（1）宽禁带半导体功率器件（仿真、模型、制造、可靠性）
（2）GaN功率集成电路（设计、制造）
（3）Micro-LED微显示器件及其驱动集成
（4）Micro-LED光互连
教育背景：
2021年2月，博士毕业于新加坡国立大学电子与计算机工程系，微电子学专业
2015年7月，本科毕业于哈尔滨工业大学英才学院，电气工程及其自动化专业
工作经历：
2024年6月-至今 上海大学微电子学院副教授,博士生导师
2021年12月-至今 上海大学微电子学院副教授,硕士生导师
2021年4月-2021年11月 上海大学微电子学院讲师，硕士生导师
科研成果及获奖情况：
近五年在IEEE EDL、IEEE T-ED、APL、JAP等微电子领域权威期刊上发表SCI论文三十余篇，在国际会议上报告研究成果6次。
获第七届上海高校青年教师教学竞赛二等奖、上海大学第十五届青年教师本科课堂教学竞赛一等奖；获第五届~第十届全国大学生集成电路创新创业大赛优秀指导教师奖；上海大学第五届、第六届本科生学术论坛优秀指导教师奖。多次指导团队获全国大学生集成电路创新创业大赛全国总决赛二、三等奖。获评上海大学2022-2023学年优秀本科生全程导师、2023年度上海大学青年五四奖章。
主持项目：
国家自然科学基金面上项目《p-GaN HEMT短路失效机理及其短路鲁棒性-阈值稳定性协同加固新结构》，2027.01-2030.12
国家自然科学基金青年项目《外延一体化的氮化镓基HEMT与微LED单片集成器件研究》，2023.01-2025.12
上海市自然科学基金面上项目《面向高速功率集成电路的新型P沟道氮化镓基晶体管研究》，2023.04-2026.03
企业技术开发项目《车规氮化镓功率芯片及模块研发与应用》，2025.10-2027.04
企业技术开发项目《抗辐照氮化镓放大器开发》，2025.08-2026.08
近五年一作/通讯代表性论文：
Kaiyuan Zhao,..., Kailin Ren*, "Physics-based Compact Model for P-GaN-gate HEMT Featuring Complete Responses of Q-VD and C-VD,” IEEE Transactions on Electron Devices, acccepted, 2025.(通讯作者)
Jijun Zhu,..., Kailin Ren*, “Multi-channel LE-HEMT with Highest Luminance in Record towards Micro-display and On-chip High-detectivity Photodetectors,” IEEE Electron Device Letters, 46(10): 1721-1724, 2025.(通讯作者)
Kaiyuan Zhao,..., Kailin Ren*, “An Improved Compact Model of T-Gate HEMT Based on Effective Gate Length,” IEEE Transactions on Electron Devices, 72(4): 1682 - 1688, 2025.(通讯作者)
Kailin Ren et al.,"Proposal and Realization of Light-Emitting HEMT With InGaN Quantum Well Inserted," IEEE Transactions on Electron Devices, 72(3): 1206 - 1210, 2025.
Kaiyuan Zhao,..., Kailin Ren*, “P-GaN/AlGaN/GaN Fin-HEMT with High Saturation Current and Enhanced VTH stability,” IEEE Electron Device Letters, 45(12): 2323 - 2326, 2024.(通讯作者)
Kailin Ren et al., "A Novel AlGaN/GaN Lateral Bipolar Junction Transistor Exploiting Polarization Effects," IEEE Transactions on Electron Devices, 71(3): 1441-1447, 2024.
Meng Gao,...,Kailin Ren*, “A novel field-plated lateral β-Ga2O3 MOSFET featuring self-aligned vertical gate structure,” IEEE Transactions on Electron Devices,70 (8): 4309-4314, 2023.(通讯作者)
Kailin Ren et al., “Compact Physical Models for AlGaN/GaN MIS-FinFET on Threshold Voltage and Saturation Current,” IEEE Transactions on Electron Devices, 65 (4): 1348-1354, 2018.
Kailin Ren et al., “Physical Mechanism on the Suppression of Dynamic Resistance Degradation by Multi-Mesa-Channel in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors,” Applied Physics Letters, 115: 262101-1-262101-5, 2019.
·Xiaoyu Cheng,..., Kailin Ren*, “A novel design for SRAM bitcell with 3-complementary-FETs,” Microelectronics Journal, 173:107180, 2026.(通讯作者)
Tianci Miao,..., Kailin Ren*, “A novel thermal network model and electro-thermal coupling study for NSFETs and CFETs considering thermal crosstalk,” Micro and Nanostructures, 208, 208322, 2025.(通讯作者)
Yan Zhang(本科生一作),...,Kailin Ren*,“A Novel Design of Hysteretic Comparator Circuit towards GaN-based Power IC”, Microelectronics Journal, 151:106339, 2024.(通讯作者)
Zhuang Wu,...,Kailin Ren*, “Physical Mechanisms on the Size-effect in GaN-based Micro-LEDs”, Micro and Nanostructures, 177, 207542, 2023.(通讯作者)
Luqiao Yin,...,Kailin Ren*, "Real-Time Channel Temperature Monitoring of p-GaN HEMTs based on Gate Leakage Current", Microelectronics Journal, 145: 106121, 2024.(通讯作者)
Yue Liu, Kailin Ren (共一) “Electrostatic force evolution during the tip induced ferroelectric domain switching,” Journal of Applied Physics, 130, 194101, 2021.
Kailin Ren et al., “Physical mechanism of fin-gate AlGaN/GaN MIS-HEMT: Vth model,” Proceedings of 2016 IEEE 4th Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA), 319-323, 2016.
Kailin Ren et al., “Modelling of Trap Mechanism in AlGaN/GaN Fin-HEMT Current Collapse,” 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, 2019.
Yuan An,...,Kailin Ren*, “A novel Monolithically Integrated structure of GaN-based Micro-LED and its driver HEMT,”7th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors &The 18th China International Forum on Solid State Lighting (IFWS & SSLCHINA 2021), 2021.(通讯作者)
专利：
《一种双栅增强型氮化镓射频功率晶体管》（第一发明人），专利号：ZL 202411336877.8
《全包围栅极场效应晶体管及其制备方法》（第一发明人），申请号/专利号：2024110910882
《一种半导体静态存储器及其制备方法》（第一发明人），申请号/专利号：2024113885420
《一种氮化镓基双极结型晶体管及其制备方法》（第一发明人），专利号：ZL202310868179.1
《一种改进的高电子迁移率发光晶体管》（第一发明人），申请号/专利号：202111331707.7
《一种负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管及制备方法》（第一发明人），申请号/专利号：202210219208.7
《一种柔性显示集成器件及其制备方法》（第一发明人），申请号/专利号：202310064065.1
《一种全双工可见光通信系统及其制备方法》（第一发明人），申请号/专利号：202310063928.3
《一种C字形阳极Micro-LED器件及其制备方法》（第一发明人），申请号/专利号：202310086837.1
往届毕业生就业去向：
学生
年级/专业
就业/升学去向
岗位
安原
2023届微电子学与固体电子学硕士毕业生
芯导科技
器件研发工程师
吴壮
2023届微电子学与固体电子学硕士毕业生
苏州迈为科技股份有限公司
射频电子工程师
高蒙
2024届电子信息硕士毕业生
盈力半导体
模拟IC设计工程师
王浩宇
2024届微电子学与固体电子学硕士毕业生
新思科技（Synopsys）
EDA产品验证/数字后端工程师
杨翰林
2024届电子信息硕士毕业生
上海航天控制技术研究所
硬件工程师
陆文庆
2025届微电子学与固体电子学硕士毕业生
中国电子科技集团第四十三研究所
电源设计工程师
史洋
2025届微电子学与固体电子学硕士毕业生
南方科技大学
攻读博士学位
邹夏植
2025届微电子学与固体电子学硕士毕业生
南方科技大学
攻读博士学位
马亮
2025届电子信息硕士毕业生
AMD上海
数字IC设计工程师
