杨军 副教授

邮箱：jyangsme@shu.edu.cn

上海大学微电子学院

导师介绍：

杨军，上海大学副教授，德国德累斯顿工业大学工学博士（Dr.-Ing.），莱布尼茨联合会固态和材料研究所博后，入选上海市海外高层次人才计划。长期致力于原子级半导体装备、工艺及相关器件的研究，在IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Electron Devices、Applied Physics Letters等国际权威期刊发表论文40余篇，并在国际原子级沉积/刻蚀会议、德国原子级制造研讨会、中国物理学会学术会议等作学术报告20余次。曾获国家优秀博士留学生奖、中国真空学会真空科学与技术奖、德国优秀博士海外交流奖等多项荣誉，参与欧盟“地平线”计划、德国国家自然科学基金等多项国际科研项目。

课题组为学生提供个性化的培养方案与职业发展指导，欢迎具有微电子、集成电路、物理、机械等相关背景的同学加入，并可推荐优秀者赴国内外知名科研机构进一步深造。

联系邮箱：jyangsme@shu.edu.cn

研究方向：

原子层加工装备

低功耗多功能栅控器件

集成电路先进工艺与异质集成

教育及工作经历：

2024年12月-至今 上海大学 副教授

2024年02月-2024年11月 莱布尼茨联合会固态和材料研究所 博士后

2020年09月-2024年01月 德累斯顿工业大学 博士

科研成果及获奖情况：

国家优秀博士留学生奖

国真空学会真空科学与技术奖

德国优秀博士海外交流奖

德国原子级制造研讨会优秀报告奖

近五年代表性论文：

[1]X. Ding; L. Wang, K. Bai; J. Yang*, Jianhua Zhang, Approach to High-performance Indium Gallium Zinc Oxide Transistors by Thermal Atomic Layer Deposition, IEEE Electron Device Letters, 2025, 46(4), 588

[2]J. Yang, C. Huang, Z. Tong, H. Fan, K. Bai, X. Ding*, J. ZhangALD-derived high-k ZrAlOx dielectrics for boosted performance of CNTs/ZTO CMOS inverter, Applied Physics Letters, 2025, 127(8), 082901

[3]J. Yang, A. Bahrami*, S. Lehmann, K. Nielsch*, Encapsulation of Locally Welded Silver Nanowire with Water-free ALD-SbOx for Flexible Thin-film Transistors. Appl. Phys. Lett. 2022, 121(16), 163504

[4]J. Yang, M. Daqiqshirazi, T. Ritschel, A. Bahrami, S. Lehmann, D. Wolf, W. Feng, A. Pöhl, J. Charvot, F. Bureš, T. Brumme, A. Lubk, J. Geck, K. Nielsch*, Interfacial Distortion of Sb2Te3–Sb2Se3 Multilayers via Atomic Layer Deposition for Enhanced Thermoelectric Properties, ACS Nano 2024, 18(27), 17500

[5]D. Shin, J. Yang*, S. Mukherjee, A. Bahrami, S. Lehmann, N. Nasiri, F. Krahl, C. Pang, A. Lashkova, Y.Vaynzof, S. Wohlrab, A. Popov, K. Nielsch*, SnS2 Thin Film with In Situ and Controllable Sb Doping via Atomic Layer Deposition for Optoelectronic Applications. Adv. Mater. Technol. 2024, 9(21), 2302049